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ATP216
35
30
Tc=25°C
ID -- VDS
3.0
V
2.5
V
50
45
VDS=10V
ID -- VGS
25
3.
5
V
40
35
20
30
15
2.0V
25
20
10
1.8V
15
10
5
VGS=1.5V
5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
=5A
1.8V
VGS
=9A
.5V
18A
I =
5V, D
60
50
40
30
20
10
ID=5A
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
9A
18A
IT16430
Tc=25°C
60
50
40
30
20
10
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Tc
, ID
=
, ID
=2
V GS
=4.
VGS
IT16431
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
° C
Tc
° C
° C
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
VDS=10V
25
25
--
=
75
IT16432
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
VGS=0V
Case Temperature, Tc -- ° C
IS -- VSD
IT16433
1.0
0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1000
7
5
3
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
IT16434
VDD=30V
VGS=4.5V
10000
7
5
3
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
IT16435
f=1MHz
2
2
100
7
5
3
tf
tr
td(on)
1000
7
5
3
2
10
7
5
3
2
2
100
7
5
3
2
Coss
Crss
1.0
0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
10
0
10
20
30
40
50
Drain Current, ID -- A
IT16436
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT16437
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